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_a9781498767132 _qempastado, cubierta dura _qpapel alcalino |
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_a1498767133 _qempastado, cubierta dura _qpapel alcalino |
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_aTK7871.95 _bS38 |
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| 100 | 1 |
_aSaurabh, Sneh, _eautor |
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| 245 | 1 | 0 |
_aFundamentals of tunnel field-effect transistors / _cSneh Saurabh, Mamidala Jagadesh Kumar |
| 264 | 1 |
_aBoca Raton, FL : _bCRC Press, _c[2017] |
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| 300 | _axiv, 291 páginas | ||
| 650 | 0 | _aTransistores túnel de efecto campo | |
| 650 | 0 |
_aCircuitos integrados _xDiseño y construcción |
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| 650 | 0 | _aMateriales nanoestructurados | |
| 650 | 0 | _aCircuitos integrados de bajo voltaje | |
| 700 | 1 |
_aKumar, Mamidala Jagadesh, _eautor |
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| 336 |
_atexto _2rdacontent |
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| 337 |
_asin medio _2rdamedia |
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| 338 |
_avolumen _2rdacarrier |
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| 999 |
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