Detalles MARC
000 -CABECERA |
campo de control de longitud fija |
00877nam a2200241 a 4500 |
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
campo de control de longitud fija |
230904s2022^^^^enka^^^^^^^^^^001^0^eng^^ |
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
Número Internacional Estándar del Libro |
9781108480024 |
Información calificativa |
empastado |
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA |
Número de control de sistema |
MX001002214908 |
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
Centro catalogador/agencia de origen |
DLC |
Lengua de catalogación |
spa |
Normas de descripción |
rda |
Centro/agencia transcriptor |
DLC |
Centro/agencia modificador |
UNAMX |
050 #0 - CLASIFICACIÓN DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
Número de clasificación |
TK7871.99M44 |
Número de documento/Ítem |
T38 2022 |
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
Nombre de persona |
Taur, Yuan, |
Fechas asociadas al nombre |
1946-, |
Término indicativo de función/relación |
autor |
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
Título |
Fundamentals of modern VLSI devices / |
Mención de responsabilidad, etc. |
Yuan Taur, Tak H. Ning |
250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN |
Mención de edición |
Third edition |
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Cambridge, United Kingdom : |
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Cambridge University Press, |
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2022 |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
Extensión |
xxvii, 597 páginas : |
Otras características físicas |
ilustraciones |
336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
Término de tipo de contenido |
texto |
Fuente |
rdacontent |
337 ## - TIPO DE MEDIO |
Nombre/término del tipo de medio |
sin medio |
Fuente |
rdamedia |
338 ## - TIPO DE SOPORTE |
Nombre/término del tipo de soporte |
volumen |
Fuente |
rdacarrier |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Semiconductores complementarios de óxido metálico |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Transistores bipolares |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Circuitos integrados en muy gran escala |
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
Nombre de persona |
Ning, Tak H., |
Fechas asociadas al nombre |
1943- , |
Término indicativo de función/relación |
autor |